才延福会见江苏盐城大丰区委书记李志军

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福会丰区双箭头线表示界面陷阱密度(NIT)。白色虚线大致表示异质结界面,见江记李右上方为ACZTSSe吸收层,左下方为CdS缓冲层。

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五、苏盐【成果展示】本研究通过低温热处理银合金化的铜锌锡硫硒/硫化镉(ACZTSSe/CdS)异质结,苏盐显著提高了电池的开路电压、填充因子和光电转化效率,多种表征表明电池性能的提高主要来源于异质结界面缺陷浓度的降低。委书从FFT解析的ACZTSSe和CdS的原子平面分别用绿色和黄色圆圈表示。志军f中的橙色曲线是来自EQE的积分电流JSC(Jintegrated)。

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e-h,才延城Ref(e,f)和JHT(f,h)器件的ACZTSSe/CdS异质结的局部HRTEM(e,g)和FFT(f,h)图像。尽管ACZTSSe吸收层具有贫铜和富锌组分,福会丰区但在化学浴沉积过程中Zn2+与NH3的反应导致表面贫锌,从而导致Cd2+占据Zn空位,同时溶解的Zn2+重新沉积到CdS中。

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见江记李图二:ACZTSSe和CISSe电池载流子复合特性分析。

然而,苏盐自2013年以来,CZTSSe太阳能电池记录转换效率长期停滞在12.6%,远远低于CIGS太阳能电池的23.35%。委书国际传热传质中心执行理事和科学理事。

随着温度升高,志军正向导通电流和反向截止电流均增大,电整流比降低,而器件的热整流比变化不大。一方面,才延城界面两侧材料的非对称性导致温度梯度转变时界面处的声子态密度重合度存在明显差异,才延城当热量从MoSe2流向WSe2时,声子态密度重合度更大,声子也更容易通过界面。

图1 不同界面角度MoSe2-WSe2异质结器件的制备与表征二维面内异质结器件的测量结果表明,福会丰区当电子和声子垂直通过异质结界面时,福会丰区器件具有最高104的电整流比和96%的热整流比(图2)。吕瑞涛,见江记李清华大学材料学院长聘副教授,见江记李博士生导师,主要从事碳基低维材料缺陷设计及性能调控研究,侧重于晶格缺陷(掺杂原子、空位、界面等)的可控构筑、原子级构型解析以及在高效能源存储/转换器件、超灵敏分子探测、高性能催化等领域的应用性能研究。

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